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文献
J-GLOBAL ID：200902151129400862
整理番号：02A0641091
陽子照射したCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池への光照射によるアニーリング増強効果
Annealing Enhancement Effect by Light Illumination on Proton Irradiated Cu(In,Ga)Se2 Thin-Film Solar Cells.
KAWAKITA S
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
IMAIZUMI M
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Toyota Technolgical Inst., Nagoya, JPN)
,
KUSHIYA K
(Showa Shell Sekiyu K.K, Kanagawa, JPN)
,
OHSHIMA T
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
ITOH H
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
,
MATSUDA S
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41 号： 7A ページ： L797-L799 発行年： 2002年07月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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