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文献
J-GLOBAL ID：200902151139788460
整理番号：99A0289144
H+注入後のSi(100)上エピタクシーSiGe層の歪緩和増強
Enhanced strain relaxation of epitaxial SiGe layers on Si(100) after H+ ion implantation.
HOLLAENDER B
(Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
,
MANTL S
(Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
,
LIEDTKE R
(Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
,
MESTERS S
(Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
,
HERZOG H J
(Daimler Benz-AG, Ulm, DEU)
,
KIBBEL H
(Daimler Benz-AG, Ulm, DEU)
,
HACKBARTH T
(Daimler Benz-AG, Ulm, DEU)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 148 号： 1/4 ページ： 200-205 発行年： 1999年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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