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文献
J-GLOBAL ID：200902151146027580
整理番号：93A0878768
埋込み酸化けい素膜におけるブレークダウンの機構
Breakdown mechanism in buried silicon oxide films.
MAYO S
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
,
SUEHLE J S
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
,
ROITMAN P
(National Inst. Standards and Technology, Maryland)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 74 号： 6 ページ： 4113-4120 発行年： 1993年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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