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文献
J-GLOBAL ID：200902151284111982
整理番号：01A0700107
エピタキシャル及び非エピタキシャルn-6H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタのX線照射応答
X-Ray Radiation Response of Epitaxial and Nonepitaxial n-6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors.
DE VASCONCELOS E A
(Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA)
,
DA SILVA E F JR
(Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA)
,
KATSUBE T
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
YOSHIDA S
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
NISHIOKA Y
(Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 4B ページ： 2987-2990 発行年： 2001年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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