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文献
J-GLOBAL ID：200902151364691327
整理番号：02A0779951
直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
Enhancement and Accumulation Mode Operation of GaAs MISFETs And InAlAs/InGaAs MISHEMTs with nm-Thin Gate Oxide Layers.
奈須野雅明
(金沢大 大学院自然科学研究科)
,
中村一樹
(金沢大 大学院自然科学研究科)
,
山村要一
(金沢大 大学院自然科学研究科)
,
飯山宏一
(金沢大 大学院自然科学研究科)
,
高宮三郎
(金沢大 大学院自然科学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 102 号： 294(ED2002 185-197) ページ： 17-22 発行年： 2002年08月30日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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