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文献
J-GLOBAL ID：200902151428260740
整理番号：03A0088509
窒素を含んだHfO2-Al2O3積層ゲート誘電体を有するCMOSFETの改善された電流性能
Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielectric.
JUNG H-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
KIM Y-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
RYU H J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
OH C-B
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
CHO K-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR)
,
BAIK H-S
(Samsung Advanced Inst. Technol.)
,
CHUNG Y S
(Samsung Advanced Inst. Technol.)
,
CHANG H S
(Korea Res. Inst. Standard and Sci.)
,
MOON D W
(Korea Res. Inst. Standard and Sci.)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002 ページ： 853-856 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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