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文献
J-GLOBAL ID：200902151463528900
整理番号：00A0001755
歪んだSi-nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける移動度増大に対するSi1-xGexバッファ層の役割
Role of Si1-xGex buffer layer on mobility enhancement in a strained-Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.
SUGII N
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAGAWA K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI S
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
MIYAO M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 19 ページ： 2948-2950 発行年： 1999年11月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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