文献
J-GLOBAL ID:200902151488007181
整理番号:94A0230554
Encapsulated GaAs power MESFET.
著者 (5件):
NGUYEN N X
(Univ. California, CA)
,
IBBETSON J P
(Univ. California, CA)
,
YEN J C
(Univ. California, CA)
,
HASHEMI M H
(Motorola Inc., Arizona)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA)
資料名:
Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993
(Proceedings. IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1993)
ページ:
539-547
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19940213
ISBN:
0-7803-0895-6
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)