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文献
J-GLOBAL ID：200902151495555364
整理番号：02A0550529
X線吸収微細構造(XAFS)による表面,界面の解析 XAFS 測定の半導体への応用
Studies on Surface and Interface with X-ray Absorption Fine Structure (XAFS). Application of XAFS Measurements to the Study of Semiconductors.
大淵博宣
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
田淵雅夫
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
竹田美和
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 23 号： 6 ページ： 367-373 発行年： 2002年06月10日
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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