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文献
J-GLOBAL ID：200902151500445238
整理番号：03A0082341
高電圧電子顕微鏡によって特性づけたけい素中の亀裂先端転位
Crack tip dislocations in silicon characterized by high-voltage electron microscopy.
HIGASHIDA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NARITA N
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
TANAKA M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MORIKAWA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIURA Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ONODERA R
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties
(Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties)
巻： 82 号： 17/18 ページ： 3263-3273 発行年： 2002年11月20日
JST資料番号： E0753B ISSN： 0141-8610 CODEN： PMAADG 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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