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文献
J-GLOBAL ID:200902151500445238   整理番号:03A0082341

高電圧電子顕微鏡によって特性づけたけい素中の亀裂先端転位

Crack tip dislocations in silicon characterized by high-voltage electron microscopy.
著者 (6件):
HIGASHIDA K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
NARITA N
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
TANAKA M
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
MORIKAWA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
MIURA Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
ONODERA R
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)

資料名:
Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties  (Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties)

巻: 82  号: 17/18  ページ: 3263-3273  発行年: 2002年11月20日 
JST資料番号: E0753B  ISSN: 0141-8610  CODEN: PMAADG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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