文献
J-GLOBAL ID:200902151503219786
整理番号:97A0260080
TmTeでの圧力誘起半導体-金属転移
Pressure Induced Semiconductor to Metal Transition in TmTe.
著者 (7件):
MATSUMURA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOSAKA T
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
TANG J
(National Res. Inst. Metals, Tsukuba, JPN)
,
MATSUMOTO T
(National Res. Inst. Metals, Tsukuba, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MORI N
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUZUKI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
78
号:
6
ページ:
1138-1141
発行年:
1997年02月10日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)