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文献
J-GLOBAL ID：200902151586418084
整理番号：99A0432279
Si基板上への高移動度Ge p-チャネルMOSFETの試作
Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates.
REINKING D
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
,
KAMMLER M
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
,
HOFFMANN N
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
,
HORN-VON HOEGEN M
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
,
HOFMANN K R
(Univ. Hannover, Hannover, DEU)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 35 号： 6 ページ： 503-504 発行年： 1999年03月18日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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