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文献
J-GLOBAL ID：200902151636434027
整理番号：95A0449571
湿った雰囲気中の低温アニーリングによるSiO2/Si界面の改善
Improvement of SiO2Si interface by low-temperature annealing in wet atmosphere.
SANO N
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama, JPN)
,
SEKIYA M
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama, JPN)
,
HARA M
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama, JPN)
,
KOHNO A
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama, JPN)
,
SAMESHIMA T
(Sony Corp. Res. Center, Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 16 ページ： 2107-2109 発行年： 1995年04月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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