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文献
J-GLOBAL ID：200902151688331927
整理番号：01A0282646
イオンビーム合成したβ-FeSi2/n-Siヘテロ接合の光起電力特性
Photovoltaic properties of ion-beam synthesized β-FeSi2/n-Si heterojunctions.
MAEDA Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
UMEZAWA K
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
HAYASHI Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
MIYAKE K
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
OHASHI K
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 381 号： 2 ページ： 256-261 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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