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文献
J-GLOBAL ID:200902151688331927   整理番号:01A0282646

イオンビーム合成したβ-FeSi2/n-Siヘテロ接合の光起電力特性

Photovoltaic properties of ion-beam synthesized β-FeSi2/n-Si heterojunctions.
著者 (5件):
MAEDA Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
UMEZAWA K
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
HAYASHI Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
MIYAKE K
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
OHASHI K
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)

資料名:
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

巻: 381  号:ページ: 256-261  発行年: 2001年01月15日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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