文献
J-GLOBAL ID:200902151711491589
整理番号:99A0610197
Si上のSiCに対する成長に対する炭化バッファ層の効果
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si.
著者 (4件):
WANG Y S
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI J M
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
ZHANG F F
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIN L Y
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
201/202
ページ:
564-567
発行年:
1999年05月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)