文献
J-GLOBAL ID:200902151801235417
整理番号:93A0761554
SiO2/Si(001)界面の原子規模の平面化
Atomic-scale planarization of SiO2/Si(001) interfaces.
著者 (5件):
NIWA M
(Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
UDAGAWA M
(Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
OKADA K
(Matsushita Electric Ind. Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
KOUZAZKI T
(Matsushita Techno-Research, Osaka, JPN)
,
SINCLAIR R
(Stanford Univ., California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
5
ページ:
675-677
発行年:
1993年08月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)