文献
J-GLOBAL ID:200902151879795591
整理番号:94A0062813
Contactless characterization of the surface condition of sulfur-treated semi-insulating GaAs.
著者 (5件):
SHIRAKI H
(Mitsubishi Materials Corp., Saitama, JPN)
,
ITO A
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
USAMI A
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
ICHIMURA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
WADA T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名:
Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing
(Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing)
ページ:
169-174
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930660
ISBN:
1-55899-213-8
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)