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文献
J-GLOBAL ID：200902151966658460
整理番号：98A0652824
Si:InSb/Si上の化合物半導体のエピタキシャル成長のための低温プラズマプロセス
Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si:InSb/Si.
YAMAUCHI S
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
HARIU T
(Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
,
OHBA H
(Tohoku Electric Power Co. Ltd., Sendai, JPN)
,
SAWAMURA K
(Oki Electric Ind. Co. Ltd., Hachioji, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 316 号： 1/2 ページ： 93-99 発行年： 1998年03月21日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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