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文献
J-GLOBAL ID：200902152042973838
整理番号：99A0419982
化学的収縮技術に支援された解像度向上リソグラフー法(RELACS)によるKrFリソグラフィーを使った0.1μmレベルのコンタクトホールパターン形成
0.1μm Level Contact Hole Pattern Formation with KrF Lithography by Resolution Enhancement Lithograhy Assisted by Chemical Shrink(RELACS).
TOYOSHIMA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
ISHIBASHI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MINANIDE A
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SUGINO K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KATAYAMA K
(Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
SHOYA T
(Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
ARIMOTO I
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YASUDA N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MATSUI Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 333-336 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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