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文献
J-GLOBAL ID：200902152046074064
整理番号：93A0799305
1.3μm・GaInAsP/InP円形埋め込みヘテロ構造面発光レーザの室温・パルスおよび-57°C・CW動作における低しきい値電流
Low Threshold Room Temperature Pulsed and -57°C CW Operations of 1.3μm GaInAsP/InP Circular Planar Buried Heterostructure Surface-Emitting Lasers.
BABA T
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
SUZUKI K
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
YOGO Y
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 5 号： 7 ページ： 744-746 発行年： 1993年07月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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