文献
J-GLOBAL ID:200902152100901583
整理番号:99A0537643
多孔性けい素上の脱着-イオン化質量分析
Desorption-ionization mass spectrometry on porous silicon.
著者 (3件):
WEI J
(Scripps Res., Inst., California, USA)
,
BURIAK J M
(Purdue Univ., Indiana, USA)
,
SIUZDAK G
(Scripps Res., Inst., California, USA)
資料名:
Nature (London)
(Nature (London))
巻:
399
号:
6733
ページ:
243-246
発行年:
1999年05月20日
JST資料番号:
D0193B
ISSN:
0028-0836
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)