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文献
J-GLOBAL ID：200902152165664961
整理番号：96A0107339
GaAs上のInGaAs量子ドットからの1.3μm光ルミネセンス
1.3μm photoluminescence from InGaAs quantum dots on GaAs.
MIRIN R P
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
IBBETSON J P
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
NISHI K
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
GOSSARD A C
(Univ. California at Santa Barbara, California)
,
BOWERS J E
(Univ. California at Santa Barbara, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 25 ページ： 3795-3797 発行年： 1995年12月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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