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文献
J-GLOBAL ID：200902152256631055
整理番号：96A0857725
SIMOX基板上のSi単一電子トランジスタ特性のサイズ依存性
Size Dependence of the Characteristics of Si Single-Electron Transistors on SIMOX Substrates.
TAKAHASHI Y
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAMATSU H
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURIHARA K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
IWADATE K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAGASE M
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
MURASE K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43 号： 8 ページ： 1213-1217 発行年： 1996年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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