文献
J-GLOBAL ID:200902152315779860
整理番号:96A0622115
吸着したCxFyによるBCl3+CF4プラズマ中でのGaAs/AlGaAs選択的ドライエッチングにおける選択性の増大とHJFETしきい値電圧の精確な制御
Enhanced Selectivity in GaAs/AlGaAs Selective Dry Etching in BCl3+CF4 Plasma by Adsorbed CxFy for Precise Control of HJFET Threshold Voltages.
著者 (3件):
TOKUSHIMA M
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
HIDA H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
145
ページ:
285-290
発行年:
1996年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)