文献
J-GLOBAL ID:200902152374840068
整理番号:02A0682912
横過剰成長した非極性(11-20)a面GaNを介する貫通転位の低減
Threading dislocation reduction via laterally overgrown nonpolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) a-plane GaN.
著者 (5件):
CRAVEN M D
(Univ. California, California)
,
LIM S H
(Univ. California, California)
,
WU F
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
7
ページ:
1201-1203
発行年:
2002年08月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)