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文献
J-GLOBAL ID：200902152433365395
整理番号：02A0610108
低温におけるGaAs(001)-2×4上のトリジメチルアミノひ素の分解とAsの核形成
Decomposition of trisdimethylaminoarsenic and As nucleation on GaAs(001)-2×4 at low temperature.
KURAMOCHI H
(Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
CUI J
(Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
OZEKI M
(Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
UCHIDA H
(Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
,
AKINAGA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)
,
YOSHIDA H
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
SANADA N
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
,
FUKUDA Y
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 1 ページ： 132-134 発行年： 2002年07月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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