文献
J-GLOBAL ID:200902152474212501
整理番号:94A0524130
結晶引き上げ修正によるゲート酸化物の改良とそのデバイス故障への影響
Improvement of the Gate Oxide Integrity by Modifying Crystal Pulling and Its Impact on Device Failures.
著者 (2件):
WINKLER R
(Siemens AG, Muenchen, DEU)
,
SANO M
(Sumitomo Sitix Corp., Saga, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
141
号:
5
ページ:
1398-1401
発行年:
1994年05月
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)