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文献
J-GLOBAL ID：200902152487451114
整理番号：98A0329715
2.05μmで発光する超低しきい値(50A/cm2)の歪単一量子井戸GaInAsSb/AlGaAsSbレーザ
Ultralow-threshold (50A/cm2) strained single-quantum-well GaInAsSb/AlGaAsSb lasers emitting at 2.05μm.
TURNER G W
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
CHOI H K
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
MANFRA M J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 8 ページ： 876-878 発行年： 1998年02月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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