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文献
J-GLOBAL ID：200902152506033701
整理番号：00A0292999
電子照射によりn型シリコンに発生した空格子点-酸素対と水素との相互作用
Interaction of hydrogen with the vacancy-oxygen pair produced in n-type silicon by electron irradiation.
TOKUDA Y
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
SEKI T
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 15 号： 2 ページ： 126-129 発行年： 2000年02月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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