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文献
J-GLOBAL ID：200902152529431135
整理番号：00A0221938
ヘリコン波で励起したO2-Arプラズマおよびフォーミングガスを用いた良好な電気的品質を持つSi酸化物の低温における成長
Low-Temperature Growth of Si Oxide with Good Electrical Qualities Using Helicon-Wave-Excited O2-Ar Plasma and Forming Gas Annealing.
TSUKUDA T
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
IKOMA H
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 1 ページ： 8-13 発行年： 2000年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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