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文献
J-GLOBAL ID：200902152592959867
整理番号：00A0382763
プラスチック基板上に110°Cのプロセシング温度で作製した高移動度薄膜トランジスタ
High Mobility Thin Film Transistors Fabricated on a Plastic Substrate at a Processing Temperature of 110°C.
GOSAIN D P
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
NOGUCHI T
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
USUI S
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 3A/B ページ： L179-L181 発行年： 2000年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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