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文献
J-GLOBAL ID：200902152628030169
整理番号：99A0420133
EEPROM/フラッシュ用バリスティック直接注入法による低電圧,低電流,高速プログラムのステップスピリットゲートセル
Low Voltage, Low Current, High Speed Program Step Split Gate Cell with Ballistic Direct Injection for EEPROM/Flash.
OGURA S
(Halo LSI Inc., NY, USA)
,
HORI A
(Matsushita Electronics Corp.)
,
KATO J
(Matsushita Electronics Corp.)
,
YAMANAKA M
(Matsushita Electronics Corp.)
,
ODANAKA S
(Matsushita Electronics Corp.)
,
AKAMATSU K
(Matsushita Electronics Corp.)
,
OGURA T
(Halo LSI Inc., NY, USA)
,
KOJIMA M
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.)
,
KOTANI H
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 987-990 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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