文献
J-GLOBAL ID:200902152838312086
整理番号:99A0624623
光促進湿式エッチングによるn型GaN膜中の転位密度の短時間評価
Rapid evaluation of dislocation densities in n-type GaN films using photoenhanced wet etching.
著者 (4件):
YOUTSEY C
(Univ. Illinois, Illinois)
,
ROMANO L T
(Xerox Palo Alto Res. Center, California)
,
MOLNAR R J
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois, Illinois)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
74
号:
23
ページ:
3537-3539
発行年:
1999年06月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)