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文献
J-GLOBAL ID：200902152904538538
整理番号：93A0461997
後アニーリング法により製作したSrS:Ce薄膜エレクトロルミネセンスデバイスとその電気特性
SrS:Ce Thin-Film Electroluminescent Devices Fabricated by Post-Annealing Technique and Their Electrical Properties.
OKAMOTO S
(NHK Science and Technical Research Lab., Tokyo)
,
KUKI T
(NHK Science and Technical Research Lab., Tokyo)
,
SUZUKI T
(NHK Science and Technical Research Lab., Tokyo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32 号： 4 ページ： 1672-1680 発行年： 1993年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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