文献
J-GLOBAL ID:200902152937851053
整理番号:93A0223206
InP/InGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造における異常なZn拡散の抑制
Suppression of abnormal Zn diffusion in InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor structures.
著者 (3件):
KOBAYASHI T
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURISHIMA K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
GOESELE U
(Duke Univ., North Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
62
号:
3
ページ:
284-285
発行年:
1993年01月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)