文献
J-GLOBAL ID:200902152976888274
整理番号:93A0373216
イオン打ち込みGaAsでのほう素,酸素やふっ素の影響
The Effect of Boron, Oxygen, and Fluorine in Ion Implanted GaAs.
著者 (2件):
HE L
(State Univ. New York at Buffalo, NY)
,
ANDERSON W A
(State Univ. New York at Buffalo, NY)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
22
号:
3
ページ:
323-329
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)