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文献
J-GLOBAL ID：200902153044428167
整理番号：96A0642898
半導体ヘテロ構造ZnSe/GaAs(100)の界面誘起光学異方性の測定
Measurement of Interface-Induced Optical Anisotropies of a Semiconductor Heterostructure: ZnSe/GaAs(100).
YASUDA T
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
KIMURA K
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
MIWA S
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
KUO L H
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
JIN C G
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
TANAKA K
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
,
YAO T
(Joint Res. Center for Atom Technol.(JRCAT), Tsukuba, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 77 号： 2 ページ： 326-329 発行年： 1996年07月08日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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