文献
J-GLOBAL ID:200902153131458021
整理番号:01A0078726
窒素ラディカル源によるシリコン基板の無損傷,無水素窒化
Damage-Free and Hydrogen-Free Nitridation of Silicon Substrate by Nitrogen Radical Source.
著者 (2件):
FUJISAKI Y
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
11A
ページ:
L1075-L1077
発行年:
2000年11月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)