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文献
J-GLOBAL ID：200902153234595477
整理番号：98A0793843
流路を持つ低圧MOVPE法による(0001)6H-SiC上へのGaNの直接成長
Direct growth of GaN on (0001) 6H-SiC by low-pressure MOVPE with a flow channel.
KURIMOTO M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIBATA M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO J
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
TSUBAMOTO M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HONDA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190 ページ： 189-192 発行年： 1998年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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