文献
J-GLOBAL ID:200902153319695543
整理番号:94A0313963
積層アモルファスSi(SAS)膜を使用することによる超薄膜ゲート酸化物(≦7nm)中へのB貫通の抑制
Suppression of Boron Penetration into an Ultra-Thin Gate Oxide(≦7nm) by Using a Stacked-Amorphous-Silicon(SAS) Film.
著者 (3件):
WU S L
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE C L
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEI T F
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1993
ページ:
329-332
発行年:
1993年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)