文献
J-GLOBAL ID:200902153598223397
整理番号:98A0278176
高歪InGaAs/GaAs量子井戸のMOVPE成長
MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells.
著者 (5件):
BUGGE F
(Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
,
ZEIMER U
(Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
,
SATO M
(Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
,
WEYERS M
(Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
,
TRAENKLE G
(Ferdinand-Braun-Inst. Hoechstfrequenztechnik, Berlin, DEU)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
183
号:
4
ページ:
511-518
発行年:
1998年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)