文献
J-GLOBAL ID:200902153658438797
整理番号:95A0834120
3.3V 32Mb NANDフラッシュメモリ
A 3.3V 32Mb NAND Flash Memory with Incremental Step Pulse Programming Scheme.
著者 (9件):
SUH K-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
SUH B-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LIM Y-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KIM J-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KOH Y-N
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LEE S-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
KWON S-C
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
CHOI B-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
,
LIM H-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
38
ページ:
128-129,350
発行年:
1995年02月
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)