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文献
J-GLOBAL ID：200902153676913818
整理番号：01A0382539
NV-SRAM バックアップ強誘電体キャパシタを持った不揮発SRAM
NV-SRAM A Nonvolatile SRAM with Backup Ferroelectric Capacitors.
MIWA T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMADA J
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOIKE H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TOYOSHIMA H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
AMANUMA K
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI S
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAEJIMA Y
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
,
HADA H
(NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 36 号： 3 ページ： 522-527 発行年： 2001年03月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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