文献
J-GLOBAL ID:200902153850492320
整理番号:93A0689126
超薄InP関連層の蒸着によるGaAsの表面不動態化
GaAs surface passivation by deposition of an ultrathin InP-related layer.
著者 (2件):
WADA Y
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
,
WADA K
(NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
63
号:
3
ページ:
379-381
発行年:
1993年07月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)