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文献
J-GLOBAL ID：200902153891212073
整理番号：98A0310153
GaInNAs-GaAs長波長垂直キャビティ面発光レーザダイオード
GaInNAs-GaAs Long-Wavelength Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Diodes.
LARSON M C
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KONDOW M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KITATANI T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAKAHARA K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAMURA K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
INOUE H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
UOMI K
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 10 号： 2 ページ： 188-190 発行年： 1998年02月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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