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文献
J-GLOBAL ID：200902153920010191
整理番号：98A0167093
層状半導体Bi2-xSnxTe3のバンド端構造のトンネル分光
Tunneling Spectroscopy of Bandedges in Layered Semiconductor Bi2-xSnxTe3.
奈倉健
(早稲田大 理工)
,
坂東弘之
(早稲田大 理工)
,
舟貝健一
(早稲田大 理工)
,
宮原陽一
(早稲田大 理工)
,
尾崎肇
(早稲田大 理工)
,
KULBACHINSKII V A
(Moscow State Univ.)
資料名：
日本物理学会講演概要集(分科会)
(日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1997 号： 第2分冊 ページ： 163 発行年： 1997年09月
JST資料番号： S0872B 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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