文献
J-GLOBAL ID:200902153956743420
整理番号:00A0617938
新しい磁気ひずみメモリデバイス
Novel magnetostrictive memory device.
著者 (9件):
NOVOSAD V
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OTANI Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHSAWA A
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KIM S G
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
FUKAMICHI K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KOIKE J
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MARUYAMA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KITAKAMI O
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMADA Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
87
号:
9,Pt.3
ページ:
6400-6402
発行年:
2000年05月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)