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文献
J-GLOBAL ID：200902153977387020
整理番号：00A0902530
その場蒸気生成(ISSG)による超薄膜SiO2の信頼性に関するH2含有量効果
Effect of H2 Content on Reliability of Ultrathin In-Situ Steam Generated (ISSG) SiO2.
LUO T Y
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
LAUGHERY M
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
BROWN G A
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
AL-SHAREEF H N
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
WATT V H C
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
KARAMCHEEI A
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
JACKSON M D
(International Sematech, Inc., TX, USA)
,
HUFF H R
(International Sematech, Inc., TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 21 号： 9 ページ： 430-432 発行年： 2000年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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