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文献
J-GLOBAL ID：200902153999148967
整理番号：00A0502475
単一層InAs量子ドットレーザの極低しきい値電流密度の室温連続発振
Very Low Threshold Current Density Room Temperature Continuous-Wave Lasing from a Single-Layer InAs Quantum-Dot Laser.
HUANG X
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
STINTZ A
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
HAINS C P
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
LIU G T
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
CHENG J
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
MALLOY K J
(Univ. New Mexico, NM, USA)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 12 号： 3 ページ： 227-229 発行年： 2000年03月
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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