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文献
J-GLOBAL ID：200902154058438587
整理番号：98A0177123
変調ドープ歪層超格子をもつInGaN/GaN/AlGaNをベースにしたレーザダイオード
InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes with Modulation-Doped Strained-Layer Superlattices.
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
,
CHOCHO K
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 12A ページ： L1568-L1571 発行年： 1997年12月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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