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文献
J-GLOBAL ID:200902154058438587   整理番号:98A0177123

変調ドープ歪層超格子をもつInGaN/GaN/AlGaNをベースにしたレーザダイオード

InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes with Modulation-Doped Strained-Layer Superlattices.
著者 (9件):
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SENOH M
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
NAGAHAMA S
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
IWASA N
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
YAMADA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
MATSUSHITA T
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
KIYOKU H
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
SUGIMOTO Y
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
CHOCHO K
(Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 36  号: 12A  ページ: L1568-L1571  発行年: 1997年12月01日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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